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晶振分類(lèi)

常見(jiàn)問(wèn)題

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  • 采購(gòu)商的你,想要國(guó)產(chǎn)的... 晶振因?yàn)槭请娮赢a(chǎn)品中最重要的一顆晶體元器件，因此為這個(gè)行業(yè)帶來(lái)巨大的商機(jī)，吸引著眾...
    • 首頁(yè)歐美晶振SiTime晶振SiTime晶振,貼片晶振,SiT1602晶振

      SiTime晶振,貼片晶振,SiT1602晶振

    • 產(chǎn)品型號(hào)：83896817
    • 頻率：3.75~77.76MHZ
    • 尺寸：2.0*1.6mm
    • 產(chǎn)品介紹：2016mm體積的有源振蕩器,是目前有源晶振中體積最小的一款,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話(huà)等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對(duì)應(yīng)低電源電壓...
    • RoHS RoHS2
           SiTime擁有一個(gè)世界級(jí)的模擬工程團(tuán)隊(duì)，該團(tuán)隊(duì)提供了業(yè)內(nèi)最高的性能和最靈活的石英晶體振蕩器。自2006年我們的第一次產(chǎn)品介紹以來(lái)，我們改進(jìn)了頻率穩(wěn)定性性能250次(以性能指標(biāo)衡量)，改進(jìn)了抖動(dòng)性能800次，改善了艾倫偏差3萬(wàn)次，并改善了功耗100次，同時(shí)保持了我們的產(chǎn)品的靈活性和可靠性。SiTime最近的精英平臺(tái)就是這樣一個(gè)例子——基于這種架構(gòu)的產(chǎn)品提供了最好的動(dòng)態(tài)性能和更多的特性，而不是市場(chǎng)上的任何振蕩器。
           SiTime晶振在MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)、模擬CMOS電路設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)方面具有深厚的技術(shù)專(zhuān)長(zhǎng)，并具有成本效益的組裝和測(cè)試。這些專(zhuān)業(yè)技術(shù)的結(jié)合，都是在SiTime內(nèi)部進(jìn)行的，在計(jì)時(shí)行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的，推動(dòng)創(chuàng)新的速度要比quartz快得多。SiTime的創(chuàng)新和領(lǐng)導(dǎo)力正在給計(jì)時(shí)行業(yè)帶來(lái)變革。

           SiTime晶振,貼片晶振,SiT1602晶振，貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
           石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì):石英晶振產(chǎn)品的電極對(duì)于石英晶體元器件來(lái)講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波.第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡(jiǎn)單,第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(lèi)(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化.特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求.SiT1602晶振,高精度振蕩器,2016封裝晶振
    晶振規(guī)格參數(shù) SiT1602晶振
    頻率范圍 3.75~77.76MHZ
    頻率穩(wěn)定度公差 ±20ppm
    工作溫度范圍  -20 °C ~ +70 °C，-40 °C ~ +85 °C
    儲(chǔ)存溫度范圍 -55°C to +125°C
    頻率校準(zhǔn)@ 25°C  
    電源電壓 1.62~3.63V
    老化@ + 25°C ±1 ppm/yr 
    輸出類(lèi)型 CMOS
    負(fù)載電容 15 pF
    		 



    靜電
           過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.SiT1602晶振,高精度振蕩器,2016封裝晶振
    存儲(chǔ)事項(xiàng)
           (1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存進(jìn)口貼片晶振產(chǎn)品時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏.正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容).
           (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞.SiTime晶振,貼片晶振,SiT1602晶振
    耐焊性
           加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害諧振器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD晶振使用更高溫度,會(huì)破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
           SiTime晶振集團(tuán)實(shí)施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實(shí)施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo).致力于環(huán)境保護(hù),包括預(yù)防污染.在硅晶振產(chǎn)品的規(guī)劃到制造、運(yùn)行維修等整個(gè)過(guò)程中,努力提供環(huán)保型的產(chǎn)品和服務(wù).SiTime晶振,貼片晶振,SiT1602晶振
           在業(yè)務(wù)活動(dòng)中,努力節(jié)約資源并節(jié)省能源,致力于減少編程振蕩器廢棄物和再生資源的回收利用.在積極公開(kāi)有關(guān)環(huán)境的信息的同時(shí),通過(guò)支持環(huán)?；顒?dòng),廣泛地為社會(huì)作貢獻(xiàn).致力于保護(hù)生物多樣性和可持續(xù)利用.切實(shí)運(yùn)行環(huán)境管理系統(tǒng)PDmCA(Plan-Do-multiple Check-Act),努力提高環(huán)境性能,不斷改善運(yùn)用系統(tǒng).SiT1602晶振,高精度振蕩器,2016封裝晶振
           SiTime晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器在“制造、使用、有效利用、再利用”這樣一個(gè)2016石英晶體振蕩器產(chǎn)品生命周期中,努力創(chuàng)造豐富的價(jià)值,給社會(huì)帶來(lái)溫馨和安寧,感動(dòng)和驚喜,同時(shí)為減少環(huán)境影響,努力做好“防止地球變暖、有效利用資源、對(duì)化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行管理”,實(shí)現(xiàn)與地球的和諧相處.

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