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  • 首頁歐美晶振SiTime晶振SiTime晶振,貼片晶振,SiT1566晶振

      SiTime晶振,貼片晶振,SiT1566晶振

    • 產(chǎn)品型號(hào):14703724
    • 頻率:32.768KHZ
    • 尺寸:1.5*0.8mm
    • 產(chǎn)品介紹:小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體...
    • RoHS RoHS2
           SiTime晶振公司是一家MEMS和模擬半導(dǎo)體公司,它提供了該行業(yè)最好的定時(shí)解決方案。我們的團(tuán)隊(duì)熱衷于在高性能電子產(chǎn)品中解決最困難的時(shí)間問題。我們已經(jīng)向世界各地的客戶提供了超過7億部份的產(chǎn)品,在MEMS的時(shí)間安排上有90%的份額,并且每年都在以超過50%的速度增長(zhǎng)。SiTime是兆大公司(東京證券交易所:6875)的獨(dú)立子公司。
           SiTime擁有一個(gè)世界級(jí)的模擬工程團(tuán)隊(duì),該團(tuán)隊(duì)提供了業(yè)內(nèi)最高的性能和最靈活的石英晶體振蕩器。自2006年我們的第一次產(chǎn)品介紹以來,我們改進(jìn)了頻率穩(wěn)定性性能250次(以性能指標(biāo)衡量),改進(jìn)了抖動(dòng)性能800次,改善了艾倫偏差3萬次,并改善了功耗100次,同時(shí)保持了我們的產(chǎn)品的靈活性和可靠性。SiTime最近的精英平臺(tái)就是這樣一個(gè)例子——基于這種架構(gòu)的產(chǎn)品提供了最好的動(dòng)態(tài)性能和更多的特性,而不是市場(chǎng)上的任何振蕩器。

           SiTime晶振,貼片晶振,SiT1566晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
           石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).SiT1566晶振,32.768K可編程晶振,小體積OSC晶振
    晶振規(guī)格參數(shù) SiT1566晶振
    頻率范圍 32.768KHZ
    頻率穩(wěn)定度公差 ±5ppm
    工作溫度范圍  -20 °C ~ +70 °C,-40 °C ~ +85 °C
    儲(chǔ)存溫度范圍 -55°C to +125°C
    頻率校準(zhǔn)@ 25°C  
    電源電壓 1.62~1.98V
    老化@ + 25°C ±1 ppm/yr 
    輸出類型 CMOS
    負(fù)載電容 15 pF
     



    激勵(lì)功率
           在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致石英晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 (請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).SiT1566晶振,32.768K可編程晶振,小體積OSC晶振
    負(fù)極電阻
           除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).
    負(fù)載電容
           振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
    晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊
           所有石英晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供.SiTime晶振,貼片晶振,SiT1566晶振
    輸出負(fù)載
           建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近石英振蕩器的地方(在20 mm范圍之間).
           SiTime晶振集團(tuán)實(shí)施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實(shí)施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo).致力于環(huán)境保護(hù),包括預(yù)防污染.將有效率的使用自然資源和能源,以便從可編程晶體振蕩器生產(chǎn)源頭減少廢物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時(shí),努力改進(jìn)我們的操作.SiT1566晶振,32.768K可編程晶振,小體積OSC晶振
           SiTime晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器在“制造、使用、有效利用、再利用”這樣一個(gè)TCXO振蕩器產(chǎn)品生命周期中,努力創(chuàng)造豐富的價(jià)值,給社會(huì)帶來溫馨和安寧,感動(dòng)和驚喜,同時(shí)為減少環(huán)境影響,努力做好“防止地球變暖、有效利用資源、對(duì)化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行管理”,實(shí)現(xiàn)與地球的和諧相處.SiTime晶振,貼片晶振,SiT1566晶振
           SiTime晶振集團(tuán)將:不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評(píng)審提供框架.通過充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對(duì)自然資源的保持.遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保MEMS晶振產(chǎn)品的開發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).

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