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常見(jiàn)問(wèn)題
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- 產(chǎn)品型號(hào)：64127060
- 頻率：1.0MHZ~166MHZ
- 尺寸：3.2*2.5mm
- 產(chǎn)品介紹：愛(ài)普生可編程石英晶振SG-8003CE,成本相對(duì)普通有源晶振,溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,壓控溫補(bǔ)晶振相對(duì)較高些,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇......
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可編程晶振,愛(ài)普生石英晶振,SG-8003CE振蕩器
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可編程晶振,愛(ài)普生石英晶振,SG-8003CE振蕩器,有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.愛(ài)普生可編程石英晶振SG-8003CE,成本相對(duì)普通有源晶振,溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,壓控溫補(bǔ)晶振相對(duì)較高些,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率.
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| 愛(ài)普生晶振參數(shù) | SG-8003CE | |
| 頻率范圍 | f0 | 1.0MHZ~166.0MHZ |
| 電源電壓 | VCC | 1.8 V,2.5 V,3.3V |
| 儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -40°C to +85°C |
| 工作溫度范圍 | T_use | -20℃to +70°C / -40℃to +85°C |
| 頻率公差 | f_tol |
B:±50×10-6, C:±100×10-6 L:±50 ×10-6, M:±100×10-6 |
| 電流消耗 | ICC | 15.0 mA Max. |
| 禁用當(dāng)前 | I_dis | 8 mA Max. |
| 占空比 | SYM | 45 % to 55 % |
| 高輸出電壓 | VOH | 90 % VCC Min. |
| 低輸出電壓 | VOL | 10 % VCC Max. |
| 輸出負(fù)載條件 | L_CMOS | 15 pF Max. |
| 靜止啟用 | VIH/VIL | 80% VCC Min./20% VCC Max. |
| 上升時(shí)間和下降時(shí)間 | tr/ tf | 5.0 ns Max. |
| 啟動(dòng)時(shí)間 | t_str | 2.5 ms Max. |
| 頻率老化 | f_aging |
±3 ×10-6 / year Max. |
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產(chǎn)品的可靠性可以通俗的理解為：產(chǎn)品生產(chǎn)完成后,不會(huì)因常規(guī)的搬運(yùn),儲(chǔ)存而使其性能受影響,不會(huì)因客戶的焊接,清洗和封裝等各種使用條件而影響性能.產(chǎn)品的可靠性可以通過(guò)各種可靠性試驗(yàn)來(lái)衡量,目前常見(jiàn)的可靠性試驗(yàn)有：
高溫儲(chǔ)存試驗(yàn) 125℃±10℃；1000H±24H
溫度循環(huán)試驗(yàn) T1 = -55℃±10℃ T2= 125℃±10℃；循環(huán)次數(shù)10次.（溫度轉(zhuǎn)換約30分鐘）
溫度沖擊試驗(yàn) T1 = -55℃±10℃ T2= 125℃±10℃；循環(huán)次數(shù)10次.（溫度轉(zhuǎn)換時(shí)間5秒）
恒溫恒濕試驗(yàn) TC 85±10℃ H 85% ；1000H±24H
可焊性（焊錫）試驗(yàn) 230±10℃；3 s
耐焊接試驗(yàn) 260±10℃；10 s
跌落試驗(yàn) 75 cm；3 次.
振動(dòng)試驗(yàn) 頻率10 Hz — 2000 Hz；振幅 1.5 mm；每方向 40 分鐘.
老化率試驗(yàn) TC 85±10℃；300 H
壽命試驗(yàn)（MTBF）；85℃or125℃；1000H；利用公式及失效產(chǎn)品數(shù)計(jì)算出產(chǎn)品模擬壽命.
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愛(ài)普生株式會(huì)社愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng),（EPSON — TOYOCOM）1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛(ài)普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電石英晶體,1996年2月在中國(guó)蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.05
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